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N Channel Mosfet G30n03D3 30V 30A Transistor de pacote Dfn para carga rápida
Transistor de pacote MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN de canal N para carga rápida Descrição geral O G30N03D3 usa tecnologia
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Informação básica.
Modelo NÃO. | G30N03D3 |
Spq | 4000 unidades/carretel |
Pacote de Transporte | Caixa |
Especificação | Pacote DFN |
Marca comercial | CONFORTO |
Origem | China |
Código HS | 8541290000 |
Descrição do produto
Transistor de pacote MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN de canal N para carga rápidaDescrição geral O G30N03D3 usa tecnologia avançada de vala para fornecer excelente RDS(ON) e baixa carga de portão. Ele pode ser usado em uma ampla variedade de aplicações.
Características gerais
Características geraisVDS 30V ID (em VGS = 10V) 30A RDS (ON) (em VGS = 4,5V) <12mΩ 100% testado em avalanche Compatível com RoHS
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Nossas aplicações de produtos são: cigarros eletrônicos, linha de dados da Apple, dimerização de LED, fonte de alimentação móvel, plugue USB, etc. Com grande volume de vendas, podemos garantir a boa competitividade tanto em qualidade quanto em preço.
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